格林函数与静电边值问题

                     

贡献者: _Eden_

预备知识 静电边值条件与唯一性定理

   静电学问题中有一类非常常见的边值问题,例如已知接地导体的空腔中有电荷分布,求空腔内的电势;求带电导体在空间中产生的电场等。使用格林定理可以帮助我们高效率地计算边值问题。

   设真空中的电荷分布为 ρ(r),则空间中的静电势满足泊松方程

(1)2ϕ=ρϵ0 .

   定义函数 ψ(r,r)

(2)ψ(r,r)=1|rr| .
它则满足以下泊松方程(下式中 2 代表以 r 为自变量的拉普拉斯算子)
(3)2ψ(r,r)=4πδ(rr) .

定理 1 格林定理

   设 ϕ,ψ 为区域 V 上的标量函数,则通常有

(4)V(ϕ2ψψ2ϕ)dV=V(ϕψψϕ)dS .

   证明: 由电场的高斯定律VFdV=VFdS

(5)V(ϕψψϕ)dS=V(ϕψψϕ)dV=V((ϕ)(ψ)+ϕ2ψ(ψ)(ϕ)ψ2ϕ)dV=V(ϕ2ψψ2ϕ)dV .

   下面我们用格林定理来解决静电边值问题。下面的体积分以及面积分都是以 r 为自变量作积分。将 式 1 式 3 中的 ϕ,ψ 代入 式 4 中,等式左边为

(6)V(ϕ(r)2ψ(r,r)ψ(r,r)2ϕ(r))dV=V(ϕ(r)4πδ(rr)+ψ(r,r)1ϵ0ρ(r))dV=4πϕ(r)+1ϵ0Vρ(r)|rr|dV .
等式右边为
(7)V(ϕ(r)ψ(r)ψ(r)ϕ(r))dS=V(ϕ(r)1|rr|1|rr|ϕ(r))dS .
因此有
(8)ϕ(r)=14πϵ0Vρ(r)|rr|dV+14πV(1|rr|ϕ(r)ϕ(r)1|rr|)dS .
上式中第一项描述了区域内电荷密度对电势的贡献,第二项描述了区域边界上的面电荷密度对区域内电势的贡献。

   不难看出,为了得到 V 内部的 ϕ(r),我们需要同时代入 ϕϕ/n 在边界上的取值。但一般情况下我们只知道其中之一,如果同时给定 ϕϕ/n 在边界上的取值会因过约束而导致矛盾。根据静电势的唯一性定理(定理 1 ),只要知道 ϕϕ/n 其中之一在边界上的取值,就可以得出唯一的电势分布。下面我们分别对它们进行讨论。

1. Dirichlet 边界条件下的 Green 函数

   我们需要找到一个新的函数来替换之前的 ψ。定义 GD(r,r) 满足以下条件:

(9){2GD(r,r)=4πδ(rr)GD(r,r)|V=0 .

   我们称 GD(r,r) 为格林函数。用 GD 代替 ψ 代入格林定理,可以得到

(10)ϕ(r)=14πϵ0Vρ(r)GD(r,r)dV14πVϕ(r)GD(r,r)dS .

   对于某个特定区域形状(V 的形状),我们可以预先求出它的格林函数 GD(r,r)。在求解具体问题时,给定任意的电荷分布 ρ(r) 以及 Dirichlet 边界条件 ϕ(r)|V,都可以用式 10 求出电势分布。这就是格林函数方法的高效之处1

   大部分情况下手动解出格林函数是极其困难的,但对于一些特殊的边界,有很漂亮的格林函数。例如下面这个例子。

例 1 无限大导体平面的 Dirichlet Green 函数

   设三维空间中 z=0 下方是导体,z=0 上方是真空。在 (0,0,a)(a>0) 处有一个电荷量为 +q 的电荷。求 z=0 上方空间的电势分布。2

   区域 Vz=0 上方空间。导体给出了边界条件 ϕ(r)|V=0。用 Dirichlet 格林函数方法来求解。设 r+=(x,y,z),r=(x,y,z),容易构造出以下函数

(11)GD(r+,r)=1|r+r|1|rr| ,
它在区域 V 内满足 Dirichlet 格林函数的两个条件。然后就可以利用式 10 求解。设 r1=(0,0,a),r2=(0,0,a),得
(12)ϕ(r)=14πϵ0q|rr1|14πϵ0q|rr2| .

例 2 球形边界的 Dirichlet Green 函数

   设空间内有两个半径为 a 的金属半球壳,将它们放置成一个球体,球心位于原点。上半球(z>0)球面的电势为 V,下半球球面电势为 V。求球内电势分布,并写出电势 ϕ(0,0,z) 的解析表达式。

   区域 V 为以 (0,0,0) 为圆心,a 为半径的球。可以构造 Dirichlet 格林函数:

(13)GD(r,r)=1|rr|a/r|r(a2/r2)r| ,

   容易知道 2GD(r,r)=4πδ(rr)。再考虑该函数在边界上的取值。r,(a2/r2)r 同向,对从原点指向球的任意向量 r,设它和 r 的夹角为 θ,那么可以用余弦定理化简:

(14)1|rr|a/r|r(a2/r2)r|=1a2+r22arcosθa/ra2+a4/r22a3/rcosθ=1a2+r22arcosθ1a2+r22arcosθ=0 .
于是该函数完全满足式 9 的两个条件。

   下面来解决原问题。利用格林函数方法,可以推导 ϕ(r) 的公式

(15)ϕ(r)=V4π上半球壳GD(r,r)dS+V4下半球壳GD(r,r)dS=Va24π0π/2dθ02πsinθdϕr(1|rr|a/r|r(a2/r2)r|)+Va24ππ/2πdθ02πsinθdϕr(1|rr|a/r|r(a2/r2)r|)=Va24π0π/2dθ02πsinθdϕ((a2r2)/a(a2+r22arcosγ)3/2)+Va24πππ/2dθ02πsinθdϕ((a2r2)/a(a2+r22arcosγ)3/2) .
上式中 γrr 的夹角。可以用中心对称关系将两个积分合并为一个积分(在中心对称的变换下,γ 变为 πγcosγ 反号,dθ 也反号),计算得
(16)ϕ(r)=Va(a2r2)4π0π/2dθ02πsinθdϕ(1(a2+r22arcosγ)3/21(a2+r2+2arcosγ)3/2) .

   不幸的是,这个积分如此复杂,以至于我们只能借助计算软件得到数值结果。对于 r=(0,0,z)(|z|<r) 的情况,γ=θ。我们可以推出解析解:

(17)ϕ(0,0,z)=Va(a2z2)20π/2sinθdθ(1(a2+z22azcosθ)3/21(a2+z2+2azcosθ)3/2)=Va(a2z2)21az(1|az|+1|a+z|2a2+z2)=V(aza2z2za2+z2),|z|<a .
要注意的是,如果要求球外(|r|>a)的电势,那么就要取球外为区域 V,边界 V 的法向量就是朝内的了。前面 GD/n 的计算结果就要添上一个负号。于是当 |z|>a 时,有
(18)ϕ(0,0,z)=Va(z2a2)21az(1|az|+1|a+z|2a2+z2)=V(|z|zz2a2za2+z2),|z|>a .

2. Neumann 边界条件下的 Green 函数

   定义 GN(r,r) 满足以下条件:

(19){2GN(r,r)=4πδ(rr)GN(r,r)n|V=const .
第二个条件之所以写 const 而不写 0,是因为这将违反高斯定律。我们可以根据高斯定律计算这个 const 的值:
(20)V2GN(r,r)dV=VGN(r,r)ndS=VconstdS=constAV2GN(r,r)dV=4πconst=4πA .
其中 AV 的表面积。所以可以把式 19 改写为
(21){2GN(r,r)=4πδ(rr)GN(r,r)n|V=4πA .
代入格林定理后有
(22)ϕ(r)=14πϵ0Vρ(r)GN(r,r)dV+14πVGN(r,r)ϕ(r)dS+1AVϕ(r) .

   注意,上式的最后一项只是一个常数,而静电势函数在 Neumann 边界问题中是无关紧要的(任意加减一个常数都仍然满足泊松方程和边界条件)。所以可以直接将解写为

(23)ϕ(r)=14πϵ0Vρ(r)GN(r,r)dV+14πVGN(r,r)ϕ(r)dS .

例 3 无限大导体平面的 Neumann Green 函数

   设三维空间中 z=0 下方是导体,z=0 上方是真空。在 (0,0,a)(a>0) 处有一个电荷量为 +q 的电荷。用 Dirichlet Green 函数、电像法都能很好地分析这个问题。这里我们试一下使用 Neumann 格林函数。

   设 r+=(x,y,z),r=(x,y,z),构造函数 GN(r,r)

(24)GN(r+,r)=1|r+r|+1|rr| .
容易验证该函数在边界 z=0 上满足 GN/n=0,于是它是 Neumann 格林函数。设 r1=(0,0,a),r2=(0,0,a) 代入式 23 求得电势解:
(25)ϕ(r)=14πϵ0q|rr1|+14πϵ0q|rr2|12π(1|rr1|ϕ(r)z))=q4πϵ0(1|rr1|+1|rr2|)+Ez(r)2π|rr1| .


1. ^ 大多数情况下手算仍是极其复杂的,但用计算机可以方便求解。
2. ^ 这个问题也可以用电像法来分析。


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