贡献者: lzq
随机存储器(Random Access Memory, RAM)是一种可读可写的存储器,其任何一个存储单元都是可以随机存取的,而且存取时间与单元的物理位置无关。
这种存储器通常用于存储正在运行的程序和当前正在处理的数据。与其他存储介质(如硬盘驱动器、光盘)相比,RAM 提供了更快的读写速度,但它是易失性的,意味着当电源关闭时存储的信息会丢失。
根据信息存储的物理原理,又可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)。
静态随机访问存储器(Static random-access memory,SRAM)其中的 Static 意味着:只要保持通电,存储的数据就可以恒常保持。
具体地,一个 SRAM 基本单元有 0 和 1 两个电平稳定状态。SRAM 使用六个晶体管存储单元的状态存储一个数据位,通常使用六个 MOSFETs,这种 RAM 的生产成本更高,但通常比 DRAM 更快且动态功耗更低。
SRAM 基本单元由两个 CMOS 反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接,即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入,第二个反相器的输出连接第一个反相器的输入。这就能实现两个反相器的输出状态的锁定、保存,即储存了 1 个比特的状态。
但是 SRAM 用了太多 MOS 管,而且总有两个 MOS 管饱和导通,占空间,功耗大。而且地址线多,导致不能做太大。
SRAM 往往集成在芯片内部,一般的使用场景有: 作为 x86 等微处理器的缓存(如 L1、L2、L3) 作为寄存器(寄存器堆) 用于 FPGA 与 CPLD
通常我们俗称的"内存"一般是指计算机中的 DRAM。具体的说,内存条通常使用 DDR4 DRAM,其容量一般为 8G 或 16G,通常,我们需要插两根来组成双通道内存,即构成 16G 或 32G 的内存(memory)。
严格来讲,“内存” 应该是所有易失性存储器的统称;相对应的,非易失性存储器统称为 “外存”。
参考文献: